三星、美光3D-NAND Flash产出比重已逾50%
来源:    发布时间: 2018-12-26 09:43   17 次浏览   大小:  16px  14px  12px
三星、美光3D-NAND Flash产出比重已逾50%

  集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出,在三星及美光等领头羊带领下,预估第三季3D-NAND Flash产出比重将正式超越50%,成为 NAND Flash市场的主流制程,此外,由于新一代iPhone的备货需求将至,以及SSD应用需求稳健成长,预估下半年整体NAND Flash市场仍维持供需较为吃紧的态势。

  DRAMeXchange指出,从供给面来看,各家原厂3D-NAND Flash新增的产能逐渐增加,后续观察的重点将在良率提升的速度及导入eMMC与SSD等各项OEM的产品的速度,同时,整体NAND Flash供货吃紧的态势,也取决于下半年新一代iPhone需求的强弱而定。

  从各家进度来看,三星依旧维持3D-NAND Flash竞赛的领先地位,48层堆栈的3D-NAND Flash已广泛应用在企业级固态硬盘、消费级固态硬盘和移动式NAND Flash装置上,且三星凭借着较佳的性价比快速囊括市占率。现在,三星平泽厂机台装机已告完毕,预计将从七月起正式生产最新64层的3D-NAND Flash。

  东芝与西数阵营部分,虽然之前已有48层堆栈的3D-NAND Flash,但整体发展重点仍在64层堆栈的产品上,预计最快于五月底开始送样测试,下半年可望顺利量产。

  美光目前3D-NAND Flash产出比重也超越50%,仅次于第一名的三星,目前其32层堆栈的3D-NAND Flash不仅为各大模组厂的主要用料,美光品牌的固态硬盘出货也十分畅旺。

  SK海力士继之前36层与48层之后,日前也宣布直接推出72层的3D-NAND Flash产品,预期下半年量产后可快速拉近与领先集团的距离。