3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破
来源:    发布时间: 2019-02-03 05:59   5 次浏览   大小:  16px  14px  12px
3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

  记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将划下句点。

  据报道,美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND芯片,采48层堆叠,容量为32GB。这款3D NAND将用于中高端智能机,支援全新的储存标准UFS2.1。

  美光,新品效能比前代提升40%,尺寸更是业界最小,美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒,体积缩小30%。新品已送样给移动设备厂,预定今年底广泛出货。

  美光移动业务部门发言人Dan Bingham说,该公司第二代3D NAND将为64层,研发时程尚未公布。为了支援虚拟现实和串流影片需求,移动设备的记忆体容量不断增加,美光预估,2020年智能机的内建记忆体或许会有1TB,和电脑差不多。

  巴伦(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest报告,内容预测3D NAND时代将要到来。报告称,英特尔、美光、SK海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital的3D NAND应该很快就会上市。估计第3、4季3D NAND产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪,东芝和SK海力士则可能在Q4出货。

  Pacific Crest认为,3D NAND战役中,美光情势有利。该公司的3D NAND尽管层数较少,但是密度高,而且美光无可损失。

  韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商,不过NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人,宣布领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品,且进行送样。

  东芝7月27日新闻稿宣布,已研发出64层的3D Flash制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。

  竞争对手急起直追,三星电子冒冷汗,将豪掷17万亿韩元(150亿美元),研发3D NAND flash和OLED,巩固领先优势。

  韩国7月29日报道,三星电子今年下半还有17.2万亿韩元的研发经费,这笔钱会用在哪边?三星高层Lee Myung-jin给出方向,声称由于需求飙升,今年将专注于3D NAND和OLED面板。三星是头一个开发出3D NAND flash业者,目前仍是唯一有能力量产48层3D NAND flash的业者,为防对手抢单,今年三星将在韩国京畿道工厂增加更多产线。